Заседания Учёного совета

КФТИ
1. Черников С.К., к.т.н.
2. Садчиков Ю.В., к.т.н.

КНИТУ-КАИ
4. Гортышов Ю.Ф. д.т.н
5. Гуреев В.М. д.т.н.
6. Мингалеев Г.Ф. д.э.н.
7. Халиков И.Ш.

КАМАЗ
7. Валеев Д.Х. к.т.н., главный конструктор
8. Гумеров И.Ф., к.т.н., технический директор
9. Макаров Е.Г., к.т.н., зам. гл. конструктора по новым разработкам автомобильных агрегатов и спецтехники

В работе представлены результаты формирования гетероструктур Ge/Si, Ge/Al₂O₃ и Ge/SiO₂ путем вакуумного осаждения пленок Ge различной толщины (200-600 нм) и их импульсного лазерного отжига. Процессы кристаллизации аморфных пленок Ge под действием импульсного лазерного излучения (t = 80 нс, l = 0.69 мкм) изучены in-situ в условиях оптического зондирования облучаемой зоны квазинепрерывным лазерным излучением (l = 0.53 и 1.06 мкм). Установлены пороговые значения плотности энергии лазерных импульсов, соответствующие образованию расплава и абляционной плазмы Ge в зависимости от количества осажденного Ge и теплофизических параметров подложек. С использованием комплекса структурных методов изучены элементный и фазовый состав пленок, морфология поверхности, кристалличность, распределение Ge по глубине, а также оптические свойства. На основе полученных данных определены оптимальные режимы осаждения и отжига, приводящие к образованию напряженных поликристаллических слоев Ge (по материалам статьи в ЖТФ).

Рецензент – Я.В. Фаттахов