ФИЦ КазНЦ РАН получил первые патенты на изобретения РФ
ФИЦ КазНЦ РАН получил первые патенты на изобретения РФ1. Патент РФ на изобретение "Способ изготовления алмазной дифракционной решетки" № 2 659 702, дата госрегистрации 03.07.2018
2. Патент РФ на изобретение "Алмазная дифракционная решетка" № 2 661 520, дата госрегистрации 17.07.2018
В основе новых Патентов на изобретения заложена оригинальная технология изготовления периодических микроструктур и дифракционных решеток на основе монокристаллического алмаза, сформированных методом ионной имплантации через поверхностные маски. Работа выполнена на ионном ускорителе ИЛУ-3 КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН.
Авторы патента сотрудники КФТИ – обособленного структурного подразделения ФИЦ КазНЦ РАН: Степанов А.Л. (в.н.с., Рук. группы «Нанооптика и наноплазмоника), Нуждин В.И. (с.н.с. Лаб. радиационной физики и ГНН), Валеев В.Ф.(н.с. Лаб. радиационной физики и ГНН), Галяутдинов М.Ф. (в.н.с., Лаб. Квантовой оптики и информатики), Курбатова Н.В. (н.с., Лаб. Быстропротекающих молекулярных процессов), Воробьев В.В. (м.н.с. ГНН и КФУ), Осин Ю.Н. (н.с. ГНН и КФУ). Поздравляем авторов!
 Пример изображения, полученного на СЭМ-микроскопе, дифракционной решетки на монокристаллическом алмазе, сформированной имплантацией ионами бора, а также наблюдение дифракционной картины при облучении решетки гелий-неоновым лазером. |
